收藏本站
Si2315BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
20
10
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
I D = 3.5 A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
12
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.4
0.2
0.0
- 0.2
- 0.4
- 0.6
I D = 250 μ A
10
8
6
4
2
0
T A = 25 °C
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited
Time (s)
Single Pulse Power
10
1
0.1
by R DS(on)*
T A = 25 °C
1 ms, 100 μ s
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC, 100 s
Single Pulse
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
www.vishay.com
4
* V GS
minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
Document Number: 72014
S-80642-Rev. E, 24-Mar-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI2335DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
SI2367DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
SI2377EDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V SOT-23
SI3424BDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
SI3424DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 5A 6-TSOP
SI3433CDV-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
SI3438DV-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 40V 6-TSOP
SI3442CDV-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V D-S 6TSOP
相关代理商/技术参数
SI2315DS 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SOT-23
SI2315DS 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SOT-23
SI2315DS-T1 功能描述:MOSFET 12V 3.5A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2315DS-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 3.5A 1.25W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2316BDS 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI2316BDS-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 4.5A 1.66W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2316BDS-T1-E3/BKN 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SI2316BDS-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 4.5A 1.66W 50mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube